В коллективной монографии ведущих западных ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямамим и сверхрешеток (в т.ч. квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В книге рассмотрены основные принципы МЛЭ, конкретные способы создания различных гетероструктур методом МЛЭ, электронные свойства гетероструктур, результаты по реализации приборов с гетеропереходами (гетеролазеров, фотоприемников и сверхбыстродействующих полевых транзисторов). Книга адресована специалистам в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также всем, интересущимся современными нанотехнологиями. Перевод выполнен под редакцией акад. Ж.И.Алфферова
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже