В первом разделе обзора, написанном доктором физ. мат. наук В.Г. Литовченко, обсуждаются основные закономерности, относящиеся к границе раздела диэлектрик-полупроводник, а также суммируются современные представления о физических и физико-химических механизмах, определяющих основные характеристики системы диэлектрик-полупроводник.
Описаны процессы миграции ионов, гистерезисный эффект, обсуждаются влияние структуры окисла на заряд, природа фиксированного заряда в окисле и заряда быстрых состояний.
Во втором разделе обзора, написанном канд.техн. наук Ю.В. Федоровичем, рассмотрено влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзисторов.
Исследовано влияние поверхностного заряда на обратные токи транзисторов; детально изложен механизм образования каналов. Рассмотрено изменение заряда при различных режимах испытания и эксплуатации транзисторов. Обсуждаются вопросы стабилизации поверхностно-чувствительных параметров транзисторов.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже