В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в p-n-переходе и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник, так и радиационными дефектами. Емкостные методы, описанные в книге, основаны на единой теории и единой методике обработки результатов измерений. В начале каждой главы выводятся расчетные формулы, а затем приводятся примеры использования емкостных методов, взятые из различных областей полупроводниковой электроники.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже