Каталог: Техника и технология »•» Связь, электроника

	Литвинов, Ю.М.; Ольховикова, Т.И.; Хашимов, Ф.Р. Том 3. Методы наблюдения и контроля дефектов в полупроводниковых материалах и структурах Серия: 6. Материалы. В 373 томах
	Издательство: М.: ЦНИИ "Электроника"
	Переплет: мягкий; 36 страниц; 1976 г.
	ISBN: [не указан]; Формат: стандартный
	Язык: русский
	На сайте с 10.03.2015

Аннотация

Рассмотрены возможности применения оптической металлографии, рентгеновской дифракционной топографии и электронной микроскопии для контроля качества исходных полупроводниковых материалов и приборов. Показано, что в настоящее время основным методом промышленного контроля структурного совершенства полупроводников остается оптическая металлография.
Приведены примеры применения различных методов рентгеновской дифракционной топографии для контроля структурных нарушений, возникающих на всех этапах изготовления полупроводниковых приборов, экспериментальные данные о применении рентгеновских методов для структурного совершенства полупроводников.
Рассмотрены примеры применения просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) в исследовании влияния легирующих примесей на структурное совершенство объемных монокристаллов и эпитаксиальных пленок.
Показаны возможности и перспективы применения сканирующей электронной микроскопии.

В продаже  Хочу купить

Искать похожие  только название автор и название

Добавить объявление продаю хочу купить

листать