Каталог: Наука, образование »•» Физика, астрономия

	Васильев, А.В.; Баранов, А.И. Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
	Издательство: СО РАН
	Переплет: твердый; 256 страниц; 2001 г.
	ISBN: 5-7692-0428-1; Формат: увеличенный
	Язык: русский
	На сайте с 28.04.2020

Аннотация

Книга посвящена физическим процессам в атомной подсистеме полупроводников, главным образом кремния. Изложение проводится в рамках единого представления: в основе всех процессов лежат реакции между дефектами и примесями, присутствующими в исходном кристалле или вводимыми специальными обработками. Сформулированы общие положения о реакциях и о дефектах в твердых телах. Проведена классификация основных дефектно-примесных реакций в кремнии. Подробно рассмотрены реакции в кремнии с участием кислорода, водорода, углерода; реакции образования метастабильных и радиационных дефектов; взаимосвязь процессов дефектообразования и диффузии. Дан обзор результатов исследований крупных дефектных ассоциаций: термодоноров, разупорядоченных областей, примесных агломератов. Представлена оригинальная теория реакций между нейтральными и заряженными центрами в полупроводниках.

Книга рассчитана как на специалистов в области физики полупроводников, так и на читателей, впервые приступающих к исследованиям процессов в полупроводниковых кристаллах.

В продаже  Хочу купить

Искать похожие  только название автор и название

Добавить объявление продаю хочу купить

листать