Рассмотрены конструктивно-технологические особенности, схемотехника и вопросы проектирования полупроводниковых ИС памяти на биполярных транзисторных структурах. Изложены основные принципы проектирования и выбора режимов работы интегральных накопителей и схем управления ими. Рассмотрены перспективы дальнейшего увеличения емкости и повышения быстродействия биполярных ИС памяти.
Книга рассчитана на инженеров, студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники.
Дополнительно: Уважаемые покупатели на выкуп заказа отводиться семь дней с момента подтверждения наличия книги, по истечении данного срока заказ анулируется. При заказах на сумму более 5000 р. возможен прием оплаты от организаций по безналичному расчету.