Рассматривается новое направление анализа элементов кремниевых интегральных схем (ИС), в том числе больших (БИС) и сверхбольших (СБИС), связанное с численным моделированием их свойств и параметров на универсальных ЭВМ. Излагаются способы построения макроскопических моделей элементов на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводников. Основное содержание работы составляют специальные вычислительные методы и алгоритмы их реализации на ЭВМ в двухмерном и трехмерном случаях. Осуществляется систематизация и классификация численных методов. Приводятся примеры расчета биполярных и МДП-транзисторов, а также И2Л-элементов. Описаны первые отечественные универсальные программы двухмерного и трехмерного численного моделирования полупроводниковых приборов, элементов ИС и фрагментов БИС и СБИС, позволяющие анализировать структуры различных конструкций с произвольным количеством р-п-переходов. Изложен накопленный опыт разработки программ численного моделирования. Приведен примерный план подготовки специалистов по их разработке. Для специалистов в области физики полупроводниковых приборов, твердотельной электроники и вычислительной математики, инженерно-технических работников, занимающихся автоматизацией проектирования ИС, а также аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
Дополнительно: ГРАЖДАНЕ ПОКУПАТЕЛИ! ПРЕЖДЕ, ЧЕМ ОФОРМЛЯТЬ ЗАКАЗ, ПРОЧТИТЕ УСЛОВИЯ!
Если вы особо чувствительны к состоянию книг, то прежде чем, оформлять заказ, выйдите на связь с продавцом, воспользовавшись функцией "СПРОСИТЬ" (только для зарегистрированных пользователей), поскольку ваше понимание "хорошего" и "отличного" может не совпадать с таковым пониманием продавца.
Встреча по договоренности происходит б... [подробнее]
)
отличное;
В продаже с 28.01.2024
