Кремний, в котором примеси элементов III-V групп с мелкими уровнями полностью или частично компенсированы примесями с глубокими локальными уровнями, находит широкое практическое применение для изготовления быстродействующих приборов и активных элементов интегральных схем в микроэлектронике, а также для ряда других полупроводниковых приборов. Монография охватывает широкий круг вопросов, связанных с использованием поведения в кремнии примесей и радиационных дефектов с глубокими уровнями, изготовлением такого кремния при помощи методики диффузионного легирования, изучением и прогнозированием его электрофизических свойств.
Табл. 8, ил. 47, библ. 266 назв.
Дополнительно: При заказе от 1500 р. отправка Почтой России бесплатно.
При заказе от 5000 р. разовая скидка 15% и отправка Почтой России бесплатно.
За пределы РФ книги не высылаю
Встречи по договоренности исключаются.