Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В отличие от первого издания (1980 год) расширены главы по гетеропереходам, сверхпроводящим контактам. Добавлены материалы по действию радиации на полупроводниковые приборы. Рассмотрены эффекты, возникающие при приближении к субмикронным размерам активных элементов. Для инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой элементов микроэлектроники.
Дополнительно: Уважаемые покупатели на выкуп заказа отводиться семь дней с момента подтверждения наличия книги, по истечении данного срока заказ анулируется. При заказах на сумму более 5000 р. возможен прием оплаты от организаций по безналичному расчету.