В монографии рассмотрены процессы взаимодействия точечных дефектов с атомами примесей, дислокациями, поверхностью кристалла, которые приводят к образованию скоплений междоузельных атомов различного типа. На основе данных, полученных с помощью in situ облучения в высоковольтном электронном микроскопе, приведены оценки основных характеристик этих взаимодействий. Книга рассчитана на специалистов по физике дефектов структуры, полупроводниковому материаловедения и технологии полупроводников. Тираж 700 экз.
Дополнительно: При заказе от 1500 р. отправка Почтой России бесплатно.
При заказе от 5000 р. разовая скидка 15% и отправка Почтой России бесплатно.
За пределы РФ книги не высылаю
Фото книг в состоянии "новое", "как новое" и "отличное" не высылаю.
Встречи по договоренности исключаются.